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PECVD系統(tǒng)
關(guān) 鍵 詞:PECVD系統(tǒng),真空鍍膜、納米薄膜材料制備
主要用途: 高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
型       號:PECVD-1200M
品       牌:鉅晶
發(fā)貨周期:1-5個工作日
接受訂制:可按要求定制
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PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng);借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點;

PECVD小型滑動開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動爐體來實現(xiàn)快速的升降溫,配置不同的真空系統(tǒng)來達(dá)到理想的真空度;同時通過多路高精度質(zhì)量流量計控制不同氣體。是實驗室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇。

主要用途:

高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

技術(shù)參數(shù):

爐體結(jié)構(gòu)

雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng),有效保證外殼表面溫;

爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩(wěn)

爐子可以手動從一端滑向另一端,實現(xiàn)快速的加熱和冷卻

爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料

電源

電壓:AC220V 50/60Hz;功率:4KW

爐管

高純石英管,高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數(shù)極小

尺寸:Φ60*1250mm

法蘭及支撐

SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空

一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷

可調(diào)節(jié)的法蘭支撐,平衡爐管的受力支撐

包含進(jìn)氣、出氣、真空抽口針閥,KF密封圈及卡箍組合

加熱系統(tǒng)

加熱元件采用優(yōu)質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2,表面負(fù)荷高、經(jīng)久耐用

加熱區(qū)長度:270mm

恒溫區(qū)長度:100mm

工作溫度:≤1150

最高溫度:1200

升溫速率:10/min

溫控系統(tǒng)

溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù),具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能

30段升降溫程序

測溫元件:N型熱電偶

恒溫精度:±1

混氣系統(tǒng)

四路質(zhì)量流量計:數(shù)字顯示、氣體流量自動控制

內(nèi)置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥

管路采用不銹鋼管,接口為Φ6卡套

每路氣體進(jìn)氣管路配有不銹鋼針閥

通過控制面板上的旋鈕來調(diào)節(jié)氣體流量

流量規(guī)格:0~200sccm

流量精度:±1.5%

高真空真空系統(tǒng)

采用雙級旋片真空泵+分子泵,極限真空可達(dá)4.0*10^-4Pa

復(fù)合真空計,配置電阻規(guī)+電離規(guī)

抽速:110L/S

冷卻:風(fēng)冷

電源:AC220V 50/60Hz

射頻電源系統(tǒng)

輸出功率:0-300W

功率穩(wěn)定度:±0.1%

射頻電源頻率:13.56MHz 穩(wěn)定性±0.005%

最大反向功率:120W     

射頻電源電子輸出端口:UHF

冷卻:風(fēng)冷

電源:AC187-253V 50/60Hz

可選配件

混氣系統(tǒng),中、高真空系統(tǒng),各種剛玉、石英坩堝,石英管,計算機控制軟件,無紙記錄儀,氧含量分析儀。


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